以均苯四甲酸二酐(PMDA)為二酐單體，對(duì)苯二胺、2-(4-氨基苯基)-5-氨基苯并噁唑（BOA)和 2-(4-氨基苯基)-5-氨基苯并咪唑（BIA）為二胺單體.制備了聚酰亞胺(PI)樹脂和薄膜，又采用三輥機(jī)制備了PI/SiO2雜化樹脂和薄膜。使用了傅里葉紅外光譜對(duì)材料的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，結(jié)果說明薄膜不會(huì)亞胺化，且SiO2存在于PI基體中。另外外，還研究了PI和PI/Si02雜化薄膜的力學(xué)性能和熱學(xué)性能。隨著2種不同粒徑Si02的加人,PI/Si02雜化薄膜的耐熱性能得到顯著改善。與純PI比較，PI/Si02雜化薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度上升3~6℃，1％熱失重溫度增加了14~30℃，并且線性熱膨脹得到抑制，PI-R106-5的線性熱膨脹系數(shù)(CTE)僅為2.59X10^-6℃。可是，PI/Si02雜化薄膜的力學(xué)性能相對(duì)于純PI薄膜有所降低，未來應(yīng)繼續(xù)提髙其相容性。

由于傳統(tǒng)的玻璃、金屬等無機(jī)材料脆性較大，已經(jīng)不能滿足未來光電設(shè)備質(zhì)量輕、體積大、集成密度高、柔性可撓的要求，而有機(jī)聚合物材料因高強(qiáng)、輕質(zhì)、柔韌性好等優(yōu)良性質(zhì)正在被廣泛應(yīng)用于光電領(lǐng)域。其中，具有代表性的有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)，因具備可彎曲、質(zhì)量輕、便于攜帶等優(yōu)點(diǎn)而 具有較大應(yīng)用潛力P1，但因0LED顯示器的制作過程 中多采用低溫多晶硅(LTPS)工藝在玻璃表面上制作薄膜晶體管(TFT)，工藝溫度在450 以上，甚至超過500丈，作為替代玻璃的柔性高分子薄膜襯底材料，必須能夠承受這一高溫工藝過程，而且其自身 的機(jī)械性能無較大降低，尺寸變化很小，因此對(duì)柔性高分子襯底材料的耐熱性、尺寸穩(wěn)定性及機(jī)械性能有較髙的要求。

聚酰亞胺(PI)是一類典型的耐熱高分子材料，具有優(yōu)異的耐熱性能及力學(xué)性能。基于其本征特性，PI被廣泛用于制備電子器件，如半導(dǎo)體器件的 絕緣層和柔性印刷電路的襯底等。因此，開發(fā)基于多種單體和新型制作工藝的H材料以滿足LTPS的工藝要求，是實(shí)現(xiàn)柔性O(shè)LED顯示的核心技術(shù)之一。為了提高PI的耐熱性,部分研究者從化學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)出發(fā)，通過將剛性結(jié)構(gòu)的二胺和二酐單體及封端型化合物經(jīng)預(yù)縮聚、亞胺化及高溫交聯(lián)制成低熱膨脹 系數(shù)、低表面粗糙度、高耐熱性能和高耐化學(xué)性能的 PI薄膜|W1,以應(yīng)用于微電子和光電子領(lǐng)域。另一方 面，將無機(jī)納米粒子引人到基體中也可提高尺寸穩(wěn)定性、改善薄膜耐熱性能、降低線性熱膨脹系數(shù)(CTE),如二氧化硅（Si02)的 CTE 僅為（20~30) x 10^-6℃。